半导体材料中的杂质

       半导体工艺中常见的金属杂质有铁、铜、铝、铬、钨、钛、钠、钾、锂等 ，这些杂质的来源主要有：各种器皿、管道、化学试剂，以及半导体晶圆加工过程中，在形成金属互连的同时，也产生了各种金属污染。

       例如硅材料，无意引入的杂质一般分为两大类，分别是轻杂质元素（包括碳、氮、氧和氢元素）；另一类是金属杂质（主要是指铁、铜和镍等过渡元素）。这些杂质由不同的途径进入硅晶体，对它的机械和电学性能也有不同的影响。     

       GDMS测杂质元素是一种非常有效的方法，其灵敏度非常高，采用液氮制冷的方式，把离子源维持在低温环境中，可以有效降低辉光放电室中的干扰分子，同时提高辉光放电的稳定性，降低热效应所造成的基体效应，GDMS拥有高真空度，可达1.0E-9mbar及以下，气体背景非常低，气体元素检出限可以达到10个ppb级别。

免责声明：部分内容来源于网络；如涉及版权问题，请告知，我们将及时处理。