高纯铜中气体等杂质含量的分析

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  • 气体等杂质含量的分析
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          高纯铜中对气体等杂质元素含量的要求越来越严格。
          在集成电路如靶材、粒子加速器等超高真空工艺环节中,若其表面杂质含量和气体成分超量,会发生放电反应;在靶材沉积、加速器组件中,气体脱附较大时,性能会下降,甚至可能会发生高场击穿。
          因此,高纯铜中氧、氢等杂质含量一定需要严格监控。