GDMS检测半导体材料中的掺杂元素是一种非常有效的方法，其灵敏度非常高，采用液氮制冷的方式，把离子源维持在低温环境中，可以有效降低辉光放电室中的干扰分子，同时提高辉光放电的稳定性，降低热效应所造成的基体效应，GDMS拥有高真空度，可达1.0E-9mbar及以下。其检出限可达到ppb级别，元素测试范围为Li-U。

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概述

       在半导体工业中，对半导体加入特定杂质的动作，称为“掺杂”，这些外来杂质，使半导体的电性发生改变，随着器件关键尺寸不断缩小，对主要参数精度要求，也水涨船高，元素污染，能量污染或其他的某些因素，都会导致相关电性参数的失效现象，为此需要进行相关的检测分析。

半导体材料中的掺杂元素

      无缺陷半导体的导电性很差，称为本征半导体。当掺入极微量的电活性杂质，其电导率将会显著增加，例如，向硅中掺入亿分之一的硼，其电阻率就降为原来的千分之一。当硅中掺杂以施主杂质(v 族元素：磷、砷、锑等)为主时，以电子导电为主，称为N型硅；当硅中掺杂以受主杂质(Ⅲ族元素：硼、铝、镓等)为主时，以空穴导电为主，称为P型硅。硅中P型和N型之间的界面形成PN结，它是半导体器件的基本结构和工作基础。