半导体材料
气体元素检测
当氧存在于晶体硅中时，后续的热处理过程会使氧发生偏聚和沉淀，形成氧沉淀、氧施主等缺陷。
当氮元素在硅材料中浓度超标时会产生Si3N4颗粒，导致细晶的产生，进而影响太阳能电池的性能。
掺杂元素检测
在半导体工业中，对半导体加入特定杂质的动作，称为“掺杂”，这些外来杂质，使半导体的电性发生改变，随着器件关键尺寸不断缩小，对主要参数精度要求，也水涨船高，元素污染，能量污染或其他的某些因素，都会导致相关电性参数的失效现象，为此需要进行相关的检测分析方法。
杂质元素检测
半导体晶格中存在着与其基体不同的其他化学元素原子。杂质的存在使严格按周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，这对半导体材料的性质产生决定性的影响。
